Высокочистые эпитаксиальные слои твердых растворов Cd-Hg-Te

ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА CdxHg1-xTe ДЛЯ КРУПНОФОРМАТНЫХ МАТРИЧНЫХ ИК-ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ, ПОЛУЧЕННЫЕ ГАЗОФАЗНЫМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ПАРОВ МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

 

Эпитаксиальные слои высокочистого CdxHg1-xTe на подложках из полуизолирующего GaAs.

  • состав

  • толщина слоев

  • полуширина кривой качания рентгеновской дифракции

  • тип проводимости

  • концентрация и подвижность носителей заряда при 77 K

  • площадь активного слоя

  • разброс состава по площади, не более

x = {0,18-0,4}

3-15 мкм

2-4 угл. мин.

p-тип

(0,8-5)·1016 см-3

250-400 см2/В·с

2-4 см2

0,005